全国有高压储罐分析设计资质的公司，全国有疲劳设备分析设计资质的公司硅集成电路芯片工厂应根据当地电网结构以及工厂负荷容量确定合理的供电电压。
9.1.2 硅集成电路芯片工厂用电负荷等级应为一级，其供电品质应满足芯片生产工艺及设备的要求，并应符合现行国家标准《供配电系统设计规范》GB 50052、《爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范》GB 50058及《电子工业洁净厂房设计规范》GB 50472的规定。
9.1.3 硅集成电路芯片厂房配电电压等级应符合生产工艺设备及动力设备的要求。
9.1.4 硅集成电路芯片厂房的供电系统应将生产工艺设备与动力设备的供电分设，全国有高压储罐分析设计资质的公司，全国有疲劳设备分析设计资质的公司生产工艺设备宜采用独立的变压器供电并采取抑制浪涌的措施。带电导体系统的形式宜采用单相二线制、三相三线制、三相四线制，系统接地型式宜采用TN-S或TN-C-S系统。
9.1.5 对于有特殊要求的工艺设备，应设不间断电源(UPS)或备用发电装置。2.1 硅集成电路芯片工厂生产区域照明的照度值应根据工艺生产的要求确定。
9.2.2 生产厂房技术夹层内宜设置检修照明。

9.2.3 生产厂房内应设置供人员疏散用应急照明，其照度不应低于5.0lx。在安全出入口、疏散通道或疏散通道转角处应设置疏散标志。在专用消防口应设置红色应急照明指示灯。
9.2.4 生产厂房洁净区宜选用吸顶明装、不易积尘、便于清洁的灯具。全国有高压储罐分析设计资质的公司，全国有疲劳设备分析设计资质的公司当采用嵌入式灯具时，其安装缝隙应采取密封措施。
9.2.5 生产厂房的光刻区应采用黄色光源，黄光的波长应根据生产工艺要求确定。
9.2.6 生产厂房备用照明的设置应符合下列规定：
    1 洁净区内应设计备用照明；生产设备的功能性接地应小于1Ω，全国有高压储罐分析设计资质的公司，全国有疲劳设备分析设计资质的公司有特殊接地要求的设备，应按设备要求的电阻值设计接地系统。
9.3.2 功能性接地、保护性接地、电磁兼容性接地、建筑防雷接地，宜采用共用接地系统，接地电阻值应按其中小值确定。
9.3.3 生产设备的功能性接地与其他接地分开设置时，应采取防止雷电反击措施。分开设置的接地系统接地极宜与共用接地系统接地极保持20m以上的间距。
    2 备用照明宜作为正常照明的一部分，全国有高压储罐分析设计资质的公司，全国有疲劳设备分析设计资质的公司且不应低于该场所一般照明照度值的20％。