全国有高压储罐分析设计资质的设计院，全国有疲劳设备分析设计资质的设计院硅集成电路芯片厂房生产区应为一级防静电工作区。 
9.4.2 防静电工作区的地面和墙面、柱面应采用导静电型材料。导静电型地面、墙面、柱面的表面电阻、对地电阻应为2.5×104Ω～1×106Ω，摩擦起电电压不应大于100V，静电半衰期不应大于0.1s。 
9.4.3 防静电工作区内不得选用短效型静电材料及制品，并应根据生产工艺的需要设置静电消除器、防静电安全工作台。 
9.4.4 防静电环境的门窗选择应符合下列要求： 
    1 应选用静电耗散材料制作门窗或采用静电耗散型材料贴面； 
    2 金属门窗表面应涂刷静电耗散型涂层，全国有高压储罐分析设计资质的设计院，全国有疲劳设备分析设计资质的设计院并应接地； 
    3 室内隔断和观察窗安装大面积玻璃时，其表面应粘贴静电耗散型透明薄膜或喷涂静电耗散型涂层。 
9.4.5 防静电环境的净化空调系统送风口和风管，应选用导电材料制作，并应接地。 
9.4.6 防静电环境的净化空调系统、各种配管使用部分绝缘性材质时，应在其表面安装紧密结合的金属网并将其接地。当使用导电性橡胶软管时，应在软管上安装与其紧密结合的金属导体，并应用接地引线与其可靠接地。 

9.4.7 生产厂房内金属物体包括洁净室的墙面、门窗、吊顶的金属骨架应与接地系统做可靠连接；导静电地面、防静电活动地板、工作台面、座椅等应做防静电接地。 
9.4.8 生产厂房防静电接地设计及其他要求，全国有高压储罐分析设计资质的设计院，全国有疲劳设备分析设计资质的设计院应按现行国家标准《电子工程防静电设计规范》GB 50611的有关规 硅集成电路芯片工厂内应设通信设施，并应符合下列要求：
    1 厂房内/数据布线应采用综合布线系统，综合布线系统的配线间或配线柜不应设置在布置工艺设备的洁净区内；
    2 应设置生产、办公及动力区之间联系的语音通信系统；
    3 应根据管理及工艺的需要设置数据通信局域网及与因特网连接的接入网；
    4 宜设置集中式数据中心。
9.5.2 生产厂房应设置火灾自动报警系统，全国有高压储罐分析设计资质的设计院，全国有疲劳设备分析设计资质的设计院其防护对象的等级不应低于一级，火灾自动报警系统形式应采用控制中心报警系统，并应符合下列要求：
    1 应设有消防控制中心，并应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016的规定；
    2 生产厂房内火灾探测应采用智能型探测器。在封闭房间内使用或存储易燃、易爆气体及有机溶剂时，房间内应设置火焰探测器；
    3 生产厂房洁净区内净化空调系统混入新风前的回风气流中，宜设置高灵敏度早期报警火灾探测器；
    4 在洁净区空气处理设备的新风或循环风的回风口处，全国有高压储罐分析设计资质的设计院，全国有疲劳设备分析设计资质的设计院宜设风管型火灾探测器。